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全球新动态：奥海科技：SiCMOSFET相比Si IGBT具有更快速的开关响应，更低的损耗和耐高温高压能力
来源: 同花顺iNews      时间：2023-07-06 13:11:10


(相关资料图)

同花顺（300033）金融研究中心7月6日讯，有投资者向奥海科技（002993）提问， 碳化硅应用于光伏领域的优势有哪些？

公司回答表示，您好！SiCMOSFET相比Si IGBT具有更快速的开关响应，更低的损耗和耐高温高压能力，目前主流的光伏逆变器仍采用Si IGBT。感谢您对公司的关注！

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